专利名称

一种巨磁致伸缩纳米多层膜及其制备方法和应用

专 利 号

zl200710047575.9

部    门

材料工程学院

发 明 人

王伟

授权日期

2011-05-11

摘    要

本发明涉及一种巨磁致伸缩纳米多层膜及其制备方法和应用,该纳米多层膜是在单晶硅表面上磁控溅射巨磁致伸缩性能的多层膜材料,所述的纳米多层膜包括FEAL、TBFE₂和NDFEB材料层,所述的单晶硅具有(100)取向。与现有技术相比,本发明制备的多层膜材料结构简单,具有较小的饱和磁场强度、矫顽力,优良的低场磁致伸缩性能,且性能稳定,可适合大规模工业化生产。