| 摘 要 | 本发明设计的一种制备FE-MN-SI磁性形状记忆合金薄膜的方法,其特征在于:该FE-MN-SI磁性形状记忆合金薄膜采用磁控溅射法中的两靶共溅法制得;其具体方法是:选择合金成分为FE50MN50～FE70MN30的合金制得直径为50-60MM、厚度1-5MM的FEMN合金靶,选择直径为50-60MM、厚度1MM单晶硅为单晶硅靶;采用纯铜片或玻璃作为基片,将FE-MN合金靶和单晶硅靶置于距基50CM、且与基片取向为60度位置,在溅射背底真空度<10-5PA条件下,溅射过程中保持AR气压为0.1-1.0PA,采用两靶共溅的方式在基片上沉积制得适用的FE-MN-SI薄膜;溅射时FEMN合金靶功率50-150W,单晶SI靶功率为20-80W。 |
