专利名称

一种氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法

专 利 号

ZL200910049021.1

部    门

材料工程学院

发 明 人

林文松

授权日期

2011-11-23

摘    要

本发明属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域,具体涉及一种氮掺杂氧化锌P型稀磁半导体材料的制备方法。该方法包括如下步骤:1)采用反应磁控溅射方法在衬底上交替沉积ZNO和ZN₃N₂薄层,制备ZNO/ZN₃N₂多层膜;2)将ZNO/ZN₃N₂多层膜在含有氧气的气氛下进行退火处理,完成制备氮掺杂氧化锌P型稀磁半导体材料。本发明采用磁控溅射法制备ZNO/ZN₃N₂多层膜,结合热氧化退火工艺,可以制备具有C轴择优取向的氮掺杂ZNO稀磁半导体。采用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和超导量子干涉仪(SQUID)磁强计对最后得到的样品薄膜的测试结果表明,本发明获得的氮掺杂ZNO具有C轴择优取向特点、具有P型半导体的特征,并具有铁磁效应。